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Energy-efficient Hybrid CMOS-NEMS LIF Neuron Circuit in 28 nm CMOS Process

机译:28nm CmOs高能效混合CmOs-NEms LIF神经元电路   处理

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摘要

Designing analog sub-threshold neuromorphic circuits in deep sub-microntechnologies e.g. 28 nm can be a daunting task due to the problem of excessiveleakage current. We propose novel energy-efficient hybrid CMOS-nanoelectro-mechanical switches (NEMS) Leaky Integrate and Fire (LIF) neuron andsynapse circuits and investigate the impact of NEM switches on the leakagepower and overall energy consumption. We analyze the performance ofbiologically-inspired neuron circuit in terms of leakage power consumption andpresent new energy-efficient neural circuits that operate with biologicallyplausible firing rates. Our results show the proposed CMOS-NEMS neuron circuitis, on average, 35% more energy-efficient than its CMOS counterpart with samecomplexity in 28 nm process. Moreover, we discuss how NEM switches can beutilized to further improve the scalability of mixed-signal neuromorphiccircuits.
机译:在深亚微米技术中设计模拟亚阈值神经形态电路由于漏电流过大的问题,28 nm可能是一项艰巨的任务。我们提出了新型节能混合CMOS-纳米机电开关(NEMS)漏集成和火(LIF)神经元和突触电路,并研究了NEM开关对泄漏功率和总能耗的影响。我们从泄漏功率消耗的角度分析了生物学启发的神经元电路的性能,并提出了以生物学上合理的发射速率运行的新型节能神经电路。我们的结果表明,在28 nm工艺中,具有相同复杂度的CMOS-NEMS神经元电路平均比其CMOS能量效率高35%。此外,我们讨论了如何利用NEM开关进一步改善混合信号神经形态电路的可扩展性。

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